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sysdata.h @ 34

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Rev	Line
[20]	1	/*!
	2	* \file : sysdata.h
	3	* \brief : Header for sysdata.c file.
	4	* This file contains the common defines of the application.
	5	*
	6	*/
	7
	8	#ifndef __SYS_DATA_H
	9	#define __SYS_DATA_H
	10
	11	#ifdef __cplusplus
	12	extern "C" {
	13	#endif
	14
	15	#include "stdint.h"
	16
	17	#define CONCAT(a, b) CONCAT_INNER(a, b) // These three macros
	18	#define CONCAT_INNER(a, b) a ## b // generate unique variables
	19	#define UNIQUE_NAME(base) CONCAT(base, __COUNTER__) // according to template "baseX", like "base1", "base2" and etc.
	20
[26]	21	#define SAMPLE_ARRAY_SIZE 64
[20]	22
	23	//------------------------------------------------------------------------------
	24
	25	typedef union
	26	{
	27	uint16_t w;
	28	int16_t sw;
	29	uint8_t b[2];
	30	int8_t sb[2];
	31	} bword_t;
	32
	33	//------------------------------------------------------------------------------
	34	// This structure must be aligned to 4-byte address
[23]	35	typedef struct
[20]	36	{
	37	// Device spezifisch / Einstellungsbereich
	38	uint16_t device_type; // 0 ECS interne Gertetyp Kennung (IHP 500 -> daher wird angedacht die Gerätekennung 500 zu nehmen)
	39	uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 1 Reserviert wg Alignement
	40	uint32_t sn; // 2-3 Seriennummer Teil 1 -> wird bei der Produktion geschrieben
	41
	42	uint16_t fw_revision_major; // 4 Firmware Revision Major -> wird bei einer neuen Gertegeneration hochgezhlt
	43	uint16_t fw_revision_minor; // 5 Firmware Revision Minor -> wird hochegezhlt, wenn nderungen in der Firmware auch nderungen in der Bedienungsanleitung zur Folge haben
	44
	45	uint16_t fw_revision_revision; // 6 Firmware Revision Revision -> wird bei jeder nderung der Firmware hochgezhlt
	46	uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 7 Reserviert wg Alignement
	47
	48	uint32_t baudrate; // 8-9 Die Modbus Baudrate (default 19200 Bit/s). Gltig im Bereich von 50 Bit/s bis 1000 000 Bit/s
	49
	50	uint16_t parityMode; // 10 UART Parity Mode (default EVEN) mgliche Werte 0=EVEN, 1=ODD, 2=NONE
	51	uint16_t stopBit; // 11 UART Stop Bit Reserviert, Aktuell automatisch selektiert nach Modbus standart Bei Parity EVEN oder ODD 1, bei NONE werden 2 stopbits genutzt
	52
	53	uint16_t slave_address; // 12 Modbus Slave Adresse (default 1) mgliche Werte von 1 bis 247
	54	uint16_t command; // 13 Kommando Word, das Schreiben bestimmter Werte in dieses Register fhrt bestimmte Aktionen aus
	55
	56	uint16_t ibn_day; // 14 Inbetriebnahme Datum: Tag
	57	uint16_t ibn_month; // 15 Inbetriebnahme Datum: Monat
	58	uint16_t ibn_year; // 16 Inbetriebnahme Datum: Jahr
	59	uint16_t user_id; // 17 Freies Feld für eine Kunden ID oder ähnlich
[26]	60	uint16_t test[8]; // 18-25 RESERVIERT
[20]	61
	62	//--- Konfiguration Schaltausgänge ---
	63	uint16_t lvpStart; // 26 Spannung ab der die LOW Voltage Protection aktiv wird in [mV]
	64	uint16_t lvpStop; // 27 Spannung ab der die LOW Voltage Protection wieder inaktiv wird [mV]
	65
	66	uint16_t ovpStart; // 28 Spannung ab der die OVER Voltage Protection aktiv wird in [mV]
	67	uint16_t ovpStop; // 29 Spannung ab der die OVER Voltage Protection wieder inaktiv wird [mV]
	68
	69	int16_t loadCurrentLimit; // 30 maximaler Laststrom in A wenn der Strom grer ist als der eingestelle Wert dann wird die Laststrom Protection aktiv, darf nicht unsigned sein, da Entladestrom mit Minus angegeben [A] Default -500 A
	70	int16_t chargeCurrentLimit; // 31 maximaler Ladestrom in A wenn der Strom grer ist als der eingestelle Wert dann wird die Ladestrom Protection aktiv [A] Default:500A
	71
	72
	73	int16_t chargeStopHighTemperatureStart; // 32 Abschalttemperatur Ladung wegen zu hoher Temperatur [C * 100]
	74	int16_t chargeStopHighTemperatureStop; // 33 Wiedereinschalttemperatur [C * 100]
	75
	76	int16_t chargeStopLowTemperatureStart; // 34 Abschalttemperatur Ladung wegen zu niedriger Temperatur [C * 100]
	77	int16_t chargeStopLowTemperatureStop; // 35 Wiedereinschalttemperatur [C * 100]
	78
	79	int16_t dischargeStopHighTemperatureStart; // 36 Abschalttemperatur Entladung wegen zu hoher Temperatur [C * 100]
	80	int16_t dischargeStopHighTemperatureStop; // 37 Wiedereinschalttemperatur[C * 100]
	81
	82	int16_t dischargeStopLowTemperatureStart; // 38 Abschalttemperatur EntLadung wegen zu niedriger Temperatur
	83	int16_t dischargeStopLowTemperatureStop; // 39 Wiedereinschalttemperatur
	84
	85
	86	//ah-Counter
	87	uint16_t peukert; // 40 Peukert Faktor (Wert für den Exponent) * 100
	88	uint16_t cef; // 41 Ladeeffektivitätsfaktor in %
	89
	90	uint16_t iBatFull; // 42 Strom in % ab dem die Zellen als voll erkannt werden (Strom muss für die Zeit timeBatFull unter den Wert fallen)
	91	uint16_t tBatFull; // 43 Zeit in Sekunden ab dem die Zellen als voll erkannt werden (Strom muss unter dem Wert iBattFull liegen)
	92
	93	uint16_t uBatFull; // 44 Spannung für Erkennung Battery voll in [mV]
	94	uint16_t uBatEmpty; // 45 Reserviert
	95	uint32_t cellCapacity; // 46-47 Die Zellkapazität in mAh (bei parallel geschalteten Zellen wird die Kapazitt der Zellen addiert)
	96	uint32_t battEnergy; // 48-49 Die Zellkapazität in mWh (Wh = mAh * Vnom)
	97	uint16_t socCalcMode; // 50 SoC calculation method: 0 (simple - default) - based on Ah values; 1 (advanced) - based on Wh values
	98	uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 51 RESERVIERT
	99	uint16_t cellRatedDischargeTime; // 52 Standard discharge time in h
	100	int16_t uBatEmptyCompStartTemp; // 53 We start calculating uBatEmpty compensations only when cell temperature is lower than this value
	101	int16_t uBatEmptyCompStopTemp; // 54 We stop calculating uBatEmpty compensations when cell temperature is lower than this value
	102	uint16_t uBatEmptyCompStopVolt; // 55 uBatEmpty Voltage at temperatures lower than lvpCompStopTemp
	103	int16_t extraDischargeStrom_mA; // 56
	104	uint16_t cefW; // 57 CeF for Wh calculations
[26]	105	uint16_t lvpMode; // 58
	106	uint16_t ovpMode; // 59
[20]	107	// ------- Calibration Parameter -----
	108	int32_t batteryCurrentOffset; // 60-61 Offset bei Raumtemperatur ADC Schritte
	109	int16_t batteryCurrentOffsetRefTemperatureShunt; // 62 gesicherte Shunt Temperatur zum Zeitpunkt der Kalibrierung
	110	int16_t batteryCurrentOffsetRefTemperatureChip; // 63 gesicherte Chip Temperatur zum Zeitpunkt der Kalibrierung
	111	int32_t batteryCurrentOffsetRefshuntVoltage; // 64-65 gesicherte Shunt Spannung zum Zeitpunkt der Kalibrierung
	112
	113	int32_t batteryCurrentOffsetCommonModeCalibrationVoltage; // 66-67 gesicherte Spannuung am Shunt für Common Mode Error Compensation
	114	int32_t batteryCurrentOffsetCommonModeCompensationFactor; // 68-69 Common Mode Error Compensation Faktor Faktor pro mV Shuntspannungsnderung * 1000
	115
	116	int16_t batteryCurrentOffsetTemperatureCalibrationTemperature; // 70 gesicherte Temperatur zum Zeitput der Offset Temperatur Kompensation
	117	int16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 71 reserviert
	118	int32_t batteryCurrentOffsetTemperatureCompensationFactor; // 72-73 Berechnete Temperatur Kompensation für Strom Offset
	119
[26]	120	uint32_t batteryCurrentGainCorrectionFaktor; // 74-75 Gain Korrektur Faktor * 1000000
[20]	121	int16_t batteryCurrentGainRefTempShunt; // 76 Gesicherte Temperatur Shunts bei Gain Kallibrierung
	122	int16_t batteryCurrentGainRefTempChip; // 77 Gesicherte Temperatur Chip bei Gain Kallibrierung
	123	int32_t batteryCurrentGainRefCurrent; // 78-79 Referenz Strom für die Gain Kalibrierung, muss vor dem Start des Kal. Befehls hier eingegeben werden
	124
	125	int16_t batteryCurrentGainTemperatureCalibrationShuntTemperature; // 80 Gesicherte Shunt Temperatur bei Start der Gain Temperatur Kompensation
	126	int16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 81 reserviert
	127	int32_t batteryCurrentGainTemperatureCompensationShuntFactor; // 82-83 Berechneter Faktor für Gain Temperatur kompensation. Pro 1/100 C * 1000000000
	128	int16_t batteryCurrentGainTemperatureCalibrationChipTemperature; // 84 Gesicherte Chip Temperatur bei Start der Gain Temperatur Kompensation
	129	int16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 85 reserviert
[26]	130	int32_t batteryCurrentGainTemperatureCompensationChipFactor; // 86-87 zuszätzlicher Kalibrierungsfaktor, nicht in Verwendung
	131	int32_t batteryCurrentOffsetFast; // 88-89 Korrektur in STM32 ADC Messung Gain, Strommessung
	132	uint32_t batteryCurrentGainCorrectionFaktorFast; // 90-91 Korrektur in STM32 ADC Messung Gain, Strommessung
	133	int16_t batteryEmptyDetectionMode; // 92 0= Alt, Nach Batteriespannungsmessung von greenmeter, 1= Neu Auto BMS Mode, Erkennung mit LVP Leitung, geht erst ab smartPro Hardware
[28]	134	uint16_t auxOutputMode; // 93 0=OFF, 1=MODE_HEATER, 2=MODE_SOC, 3=MODE_ALARM
	135	uint16_t auxOutputSetpointOn; // 94 SOC in Prozent für SOC Mode
	136	uint16_t auxOutputSetpointOff; // 95 SOC in Prozent für SOC mode
	137	uint16_t auxOutputInverted; // 96 0= NORMAL, 1=INVERTED
	138	uint16_t UNIQUE_NAME(reserved)[3];
[20]	139
	140	} device_parameter_t;
	141
	142	//------------------------------------------------------------------------------
	143	// This structure must be aligned to 4-byte address
	144	typedef struct
	145	{ /offset 0/
	146	/* 2 of 8 */ uint16_t voltageVref; // 100 Aktuelle Spannung der Referenzspannungsquelle des ADS1260 gemessen von dem STM32G0 [mV]
	147	/* 4 of 8 */ uint16_t realVdd; // 101 Aktuelle Umrechnung von gemessene externe RefSpannung auf ADC Ref Spannung = Vdd, Vdd ist die Referenz des internen ADC. Diese wird jetzt als Referenz für die interne ADC Messungen verwendet [mV]
	148	/* 6 of 8 / int16_t chipTemperature; // 102 Chiptemperatur gemessen auf dem STM32G0 [C 100]
	149	/* 8 of 8 / int16_t shuntTemperature; // 103 Gemessene Shunt Temperatur [C 100]
	150	/* 2 of 8 */ int16_t shuntTemperatureMax; // 104 Höchste Shunttemperatur seit Programmstart, kann durch Schreiben von Int16-Min (-32.768) in das Register zurückgesetzt werden
	151	/* 4 of 8 */ int16_t shuntTemperatureMin; // 105 Niedrigste Shunttemperatur seit Programmstart, kann durch Schreiben von Int16_Max (+32.767) in das Register zurückgesetzt werden
	152	/* 8 of 8 */ uint32_t shuntVoltage; // 106-107 Shuntspannung in mV (Common Mode Voltage) gemessen von dem STM32G0. Spannung zwischen Shunt B und GND Versorgung
	153	/* 4 of 8 */ int32_t batteryVoltage; // 108-109! Gemessenen Batteriespannung in mV. Es kann in beide Richtungen gemessen werden (mindestens von -60V bis +60V). Es muss darauf geachtet werden, dass die gemessen Spannung positiv ist (+ an Batterieplus und - an Batterieminus)
	154	/* 8 of 8 */ int32_t batteryVoltageMax; // 110-111 Hchster Spannungswert in mV (Batteriespannung) seit Programmstart. Kann durch schreiben von int32-Min (-2,147,483,648) in das Register zurckgesetzt werden
	155	/* 4 of 8 */ int32_t batteryVoltageMin; // 112-113 Niedrigster Spannungswert in mV (Batteriespannung) seit Programmstart. Kann durch Schreiben von int32-Max (2,147,483,647) in das Register zurckgesetzt werden
	156	/* 8 of 8 */ int32_t batteryCurrent; // 114-115! Gemessener Batteriestrom in mA. Es kann in beide Richtungen gemessen werden, es muss darauf geachtet werden, dass der Stromsensor so eingebaut wird, dass der Ladestrom positiv gemessen wird und der Laststrom negativ, ansonsten falsche SOC Berechnung
	157	/* 4 of 8 */ int32_t batteryCurrentMax; // 116-117 Hchster Batteriestrom seit Programmstart in mA. Kann durch Schreiben von Int32-Min (-2,147,483,648) in das Register zurückgesetzt werden
	158	/* 8 of 8 */ int32_t batteryCurrentMin; // 118-119 Niedrigster Batteriestrom seit Programmstart in mA. Kkann durch Schreiben von Int32-Max (2,147,483,647) in das Register zurückgesetzt werden
	159	/* 4 of 8 */ int32_t batteryCurrentCorrected; // 120-121! Gemessener Batteriestrom mit berücksichtitgten Peukert Faktor in mA
	160	/* 8 of 8 */ int32_t mAhCounter; // 122-123 Kapazitätszähler in [mAh] umgerechnet von mAsCounter
	161	/* 8 of 8 */ int64_t mAsCounter; // 124-127! Kapazitätszähler in mAhs, zählt den gemessenen Strom, positiv für Ladeströme und negativ für Lastströme (Mit Peukert und CEF)
	162	/* 4 of 8 / int32_t soc; // 128-129! State of Charge in % 1000
	163	/* 6 of 8 */ int16_t ovpState; // 130 Zustand Schaltausgang OVP
	164	/* 8 of 8 */ int16_t lvpState; // 131 Zustand Schaltausgang LVP
	165	/* 4 of 8 */ int32_t batteryPower; // 132-133! Leistung Batterie[mW]
	166	/* 8 of 8 */ int32_t detectedCapacity; // 134-135 Festgestellte Kapazität [mAh]
	167	/* 4 of 8 */ int32_t detectedEnergy; // 136-137 [mWh]
	168	/* 6 of 8 */ int16_t SoH; // 138 [%]
	169	/* 8 of 8 */ int16_t efficiency; // 139 [%]
	170	/* 2 of 8 */ int16_t selfDischarge; // 140 [mA]
	171	/* 4 of 8 */ int16_t selfDischargeAvg; // 141 [mA]
	172	/* 6 of 8 */ int16_t esr; // 142 [mOhm]
	173	/* 8 of 8 */ int16_t esr_fast; // 143 [mOhm]
	174	/* 6 of 8 */ uint32_t lastTimeVbatFull; // 144-145 [s]
	175	/* 8 of 8 */ uint32_t lastTimeVbatEmpty; // 146-147 [s]
	176	/* 4 of 8 */ uint32_t onTime; // 148-149 [s] Runtime Zähler zum speichern der Statistik Werte im EEPROM und als Betriebszeitzähler
[25]	177	/* 8 of 8 */ uint32_t dischargeTotalAh; // 150-151 [Ah]
	178	/* 4 of 8 */ uint32_t chargeTotalAh; // 152-153 [Ah]
	179	/* 8 of 8 */ uint32_t dischargeTotalWh; // 154-155 [Wh]
	180	/* 4 of 8 */ uint32_t chargeTotalWh; // 156-157 [Wh]
[20]	181	/* 6 of 8 */ uint16_t fullCyclesCnt; // 158
[25]	182	/* 8 of 8 */ uint16_t volatile UNIQUE_NAME(reserved); // 159
	183	/* 4 of 8 */ int32_t mAh_AutoMode; // 160-161
[28]	184	/* 6 of 8 */ uint16_t calculatedCEFAh; // 162
	185	/* 8 of 8 */ uint16_t calculatedCEFWh; // 163
[25]	186	/* 4 of 8 */ int32_t mWh_AutoMode; // 164-165
	187	/* 6 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 166
[26]	188	/* 8 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 167r
[25]	189	/* 2 of 8 */ uint16_t ovp_sense; // 168
	190	/* 4 of 8 */ uint16_t lvp_sense; // 169
[20]	191	/* 6 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 170
	192	/* 8 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 171
	193	/* 2 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 172
	194	/* 4 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 173
	195	/* 6 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 174
	196	/* 8 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 175
	197
[25]	198
[20]	199	// --- DEBUG WERTE
[25]	200	/* 8 of 8 */ int64_t mAs_AutoMode; // 176-179 [mWh]
	201	/* 8 of 8 */ int64_t mWs_AutoMode; // 180-183 [mWh]
[20]	202	/* 8 of 8 */ int64_t mWsCounter; // 184-187 [mWs]
	203	/* 4 of 8 */ int32_t mWhCounter; // 188-189 [mWh]
	204	/* 8 of 8 */ int32_t correctedStromForChargeWhCnt; // 190-191 Reserviert
	205	/* 2 of 8 */ uint16_t uBatEmptyTempComp; // 192 [mV]
	206	/* 4 of 8 */ uint16_t adc_restarts; // 193
[28]	207	/* 8 of 8 */ int32_t power_Fast; // 194 Reserviert
[20]	208	/* 4 of 8 */ int32_t battryCurrentRaw; // 196-197 Gemessener Strom in ADC Schritte Ohne Korrekturen
	209	/* 8 of 8 */ int32_t batteryCurrentOffsetCommonModeCorrectionADCSteps; // 198-199 Offset Korrektur Wert aufgrund Common Mode Error
	210	/* 4 of 8 */ int32_t fast_current; // 200-201
[28]	211	/* 4 of 8 */ int32_t fast_voltage; // 202-203
[20]	212	/* 8 of 8 */ int16_t esrCalcStatus; // 204
	213	/* 2 of 8 */ uint16_t esrCalcTime; // 205
	214	/* 4 of 8 */ int16_t selfDischargeStatus; // 206
	215	/* 6 of 8 */ uint16_t selfDischargeTime; // 207
[28]	216	/* 8 of 8 */ uint8_t message[24]; // 208-219 ASCII-char message, limited to 20 letters
	217	/* 8 of 8 */ int64_t whCounterCEF_AutoMode; // 220-223 [mWs]
	218	/* 8 of 8 */ int64_t ahCounterCEF_AutoMode; // 224-227 [mAs]
	219	/* 2 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 228
	220	/* 4 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 229
	221	/* 6 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 230
	222	/* 8 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 231
	223	/* 2 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 232
	224	/* 4 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 233
	225	/* 6 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 234
	226	/* 8 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 235
	227	/* 2 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 236
	228	/* 4 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 237
	229	/* 6 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 238
	230	/* 8 of 8 */ uint16_t UNIQUE_NAME(reserved); // 239
	231	/* 8 of 8 */ int16_t current_buffer[SAMPLE_ARRAY_SIZE]; // 220-283
[26]	232	/* 8 of 8 */ int16_t voltage_buffer[SAMPLE_ARRAY_SIZE]; // 284-347
[28]	233	/* 8 of 8 */ int16_t current_buffer_fast[SAMPLE_ARRAY_SIZE]; // 348-411
[26]	234	/* 8 of 8 */ int16_t voltage_buffer_fast[SAMPLE_ARRAY_SIZE]; // 412-475
[20]	235
	236	} device_values_t;
	237
	238	//------------------------------------------------------------------------------
	239
	240	typedef struct
	241	{
	242	device_parameter_t parameter; // 0-99
	243	device_values_t values; // 100
	244	} sys_data_struct_t;
	245
	246	//------------------------------------------------------------------------------
	247	typedef volatile union
	248	{
	249	sys_data_struct_t s;
	250	bword_t mb[sizeof(sys_data_struct_t) / 2];
	251	} sys_data_t;
	252
	253	//------------------------------------------------------------------------------
	254
	255	extern sys_data_t sys_data;
	256
	257	//------------------------------------------------------------------------------
	258
	259	void SYS_DATA_Init(void);
	260
	261	#ifdef __cplusplus
	262	}
	263	#endif
	264
	265	#endif // __SYS_DATA_H

Note: See TracBrowser for help on using the repository browser.

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source: trunk/fw_g473rct/SES/inc/sysdata.h @ 34

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